型号:STB12NM60N-1 | 类别:FET - 单 | 制造商:STMicroelectronics |
封装:TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA | 描述:MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
详细参数
类别 | FET - 单 |
---|---|
描述 | MOSFET N-CH 600V 10A I2PAK |
系列 | MDmesh™ |
制造商 | STMicroelectronics |
FET型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET特点 | 标准 |
漏极至源极电压(Vdss) | 600V |
电流_连续漏极(Id)0a025000C | 10A |
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 410 毫欧 @ 5A,10V |
Id时的Vgs(th)111最大222 | 4V @ 250µA |
闸电荷(Qg)0a0Vgs | 30.5nC @ 10V |
输入电容(Ciss)0a0Vds | 960pF @ 50V |
功率_最大 | 90W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
供应商设备封装 | I2PAK |
包装 | 管件 |
供应商
深圳市芯柏然科技有限公司 | 欧阳0755-82533534 |
深圳市宏捷佳电子科技有限公司 | 李先生,夏小姐0755-22669259 83214703 |
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